申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN117051473A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B15/04;C30B29/08;C30B27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：一种锗单晶CZ直拉法生长工艺包括步骤：S1，将锗锭和掺杂剂装入生长炉的坩埚内；S2，将生长炉抽真空、赶气、检漏，以使生长炉内达到真空；S3，充氮气至生长炉内，以使生长炉内的压力达到0.04‑0.05MPa并停止充氮气；S4，开启对坩埚的加热，升温融化坩埚内的锗锭；S5，在锗锭完全融化形成熔体且生长炉内的压力升至约等于外界大气压的0.095‑0.105MPa时维持坩埚的温度不变；S6，步骤S5之后，固定有籽晶的拉晶杆从熔体表面浸入熔体，之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒；S7，晶体生长完成后，停止加热、降温、打开生长炉，将晶棒从拉晶杆上剪下进行头部、尾部的电阻率检测。由此，能够优化所获得的整根锗单晶的电阻率范围、提高产品合格率、降低成本并简化控制。

主权项：1.一种锗单晶CZ直拉法生长工艺，其特征在于，包括步骤：S1，将锗锭和掺杂剂装入生长炉100的坩埚1内；S2，将生长炉100抽真空、赶气、检漏，以使生长炉100内达到真空；S3，充氮气至生长炉100内，以使生长炉100内的压力达到0.04-0.05MPa并停止充氮气；S4，开启对坩埚1的加热，升温融化坩埚1内的锗锭；S5，在锗锭完全融化形成熔体且生长炉100内的压力升至约等于外界大气压的0.095-0.105MPa时维持坩埚1的温度不变；S6，步骤S5之后，固定有籽晶2的拉晶杆3从熔体表面浸入熔体，之后拉晶杆3向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒；S7，晶体生长完成后，停止加热、降温、打开生长炉100，将晶棒从拉晶杆3上剪下进行头部、尾部的电阻率检测。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽光智科技有限公司 锗单晶CZ直拉法生长工艺

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