申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-05-28

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN111584637B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本发明提供一种基于FDSOI的PIN结构及其制作方法，位于P型衬底浅区域的埋氧层；埋氧层上方P型衬底的区域为沟道区；位于沟道区上的栅极结构；分别位于栅极结构两侧的第一P+区和N+区；从沟道区表面经过埋氧层边缘并延伸至P型衬底深处的第一、第二STI区，第一STI区位于第一P+区远离栅极一侧的边缘；第二STI区位于所述N+远离栅极一侧的边缘。本发明通过将传统PIN结构中栅极一侧的N+区替换为P+区，有效提取沟道区与栅极之间的界面态以及能态分布，克服了常规PIN无法对界面态即能态分布进行提取的缺陷；同时利用制作栅极两侧的P+区和N+区的光罩，将二者交界处置于栅极上方，可以将光刻的工艺窗口增大。

主权项：1.一种基于FDSOI的PIN结构，其特征在于，至少包括：P型衬底、位于所述P型衬底浅区域的埋氧层；所述埋氧层上方所述P型衬底的区域为沟道区；位于所述沟道区上的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧的第一P+区和N+区；从所述沟道区表面经过所述埋氧层边缘并延伸至所述P型衬底深处的第一、第二STI区，所述第一STI区位于所述第一P+区远离所述栅极一侧的边缘；所述第二STI区位于所述N+远离所述栅极一侧的边缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种基于FDSOI的PIN结构及其制作方法

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