申请/专利权人：中国矿业大学

申请日：2022-05-11

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN114899363B

主分类号：H01M4/137

分类号：H01M4/137;H01M4/1399;H01M4/36;H01M4/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.21#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明提供一种导电聚合物柱撑VS2的镁二次电池正极材料的制备方法，包括以下步骤：将偏钒酸铵和硫代乙酰胺加入到有机胺溶液中，转移到反应釜中反应，离心，洗涤离心，冷冻干燥，得到有机胺插层的VS2粉末；将其加入到N‑甲基吡咯烷酮溶剂中，超声剥离，离心，留下上清液；将上清液离心，冷冻干燥，获得VS2纳米片粉末；将其分散在水中，得到溶液A；将导电聚合物单体和十二烷基硫酸钠加入水中，得到溶液B；将引发剂溶解在稀盐酸中，得到溶液C；将溶液A、溶液B、溶液C均超声半小时；将溶液B和C滴入溶液A中，搅拌，真空抽滤，洗涤，冷冻干燥，获得导电聚合物柱撑的VS2杂化材料，其具有优异的循环稳定性，倍率性能。

主权项：1.一种导电聚合物柱撑VS2的镁二次电池正极材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：将偏钒酸铵和硫代乙酰胺加入到有机胺溶液中，搅拌之后转移到反应釜中反应，待降温之后离心，并用乙醇和水洗涤，离心，冷冻干燥，得到有机胺插层的VS2粉末；步骤二：将有机胺插层的VS2粉末加入到N-甲基吡咯烷酮溶剂中，超声剥离，离心，留下上清液；将上清液离心，获得VS2纳米片，冷冻干燥；步骤三：将VS2纳米片分散在水中，得到溶液A；将导电聚合物单体和十二烷基硫酸钠加入水中，得到溶液B；将引发剂溶解在稀盐酸中，得到溶液C；将溶液A、溶液B及溶液C超声分散；步骤四：将溶液B和溶液C滴入溶液A中，搅拌，真空抽滤，用乙醇和去离子水洗涤，冷冻干燥，获得导电聚合物柱撑的VS2杂化材料，即导电聚合物柱撑VS2的镁二次电池正极材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国矿业大学 一种导电聚合物柱撑VS₂的镁二次电池正极材料及制备方法

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