申请/专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司

申请日：2023-06-16

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN220065710U

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/417

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.21#授权

摘要：本实用新型涉及一种低热阻低导通压降的FRD，包括衬底、位于衬底一侧的阳极、位于衬底另一侧的阴极，阳极表面设有阳极金属层，阴极表面设有阴极金属层，阳极或阴极的表面设有若干深槽，阳极金属层或阴极金属层延伸至深槽内，深槽的侧壁或底壁表面设有高掺杂区。本实用新型的低热阻低导通压降的FRD通过表面设置深槽，增大了散热面积，其散热效果较高，而且无需在器件外部再单独设置专用的散热装置，以减小其体积，便于其与IGBT的集成。

主权项：1.一种低热阻低导通压降的FRD，包括衬底1、位于衬底一侧的阳极2、位于衬底另一侧的阴极，阳极表面设有阳极金属层3，阴极表面设有阴极金属层，其特征在于：所述阳极的表面设有若干深槽4，所述阳极金属层延伸至深槽内，深槽的侧壁或底壁表面设有高掺杂区5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海擎茂微电子科技有限公司 一种低热阻低导通压降的FRD

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD