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【发明公布】一种IGZO靶材的制备方法_芜湖映日科技股份有限公司_202310950412.0 

申请/专利权人:芜湖映日科技股份有限公司

申请日:2023-07-31

公开(公告)日:2023-11-24

公开(公告)号:CN117105636A

主分类号:C04B35/01

分类号:C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/34

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开

摘要:本发明涉及靶材技术领域,具体涉及一种IGZO靶材的制备方法,该方法通过精细调控材料配比、球磨和砂磨工艺、适当的压力施加以及制备过程的优化,实现了高致密性和低曲翘度的IGZO靶材的制备。具体步骤包括将氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末和去离子水混合球磨,加入分散剂、消泡剂和去离子水进行砂磨,然后进行粉末造粒和烧结。优化的工艺参数包括材料的纯度和比表面积、球磨和砂磨的时间和条件、砂磨浆料的粒度、适度的压力施加和烧结温度及升温速率。该方法获得的IGZO靶材具有高的致密性和低的曲翘度,适用于各种应用领域,如显示器和薄膜晶体管等。

主权项:1.一种IGZO靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:步骤一:将氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末和去离子水混合,再进行球磨,得到球磨浆料;步骤二:将分散剂、消泡剂和去离子水加入到球磨浆料中,再进行砂磨,得到砂磨浆料;步骤三:将砂磨浆料进行粉末造粒,得到IGZO粉末;步骤四:将IGZO粉末装入顶部带有加压装置的模具中,然后将模具放入烧结炉中,在氧气气氛中进行烧结,烧结过程中在模具顶部施加5-20MPa的压力,烧结温度为1450℃-1550℃,升温速率为4-6℃min,得到IGZO靶材。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 芜湖映日科技股份有限公司 一种IGZO靶材的制备方法

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