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申请/专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体提供一种MOS器件缺陷恢复方法，以及应用该方法的MOS器件可靠性测试方法和MOS器件处理方法。MOS器件缺陷恢复方法包括以下步骤：提供缺陷MOS器件，所述缺陷MOS器件为包含热载流子注入效应所致的缺陷的MOS器件；在惰性气体的气氛保护下，对所述缺陷MOS器件进行加热处理，以使注入所述缺陷MOS器件的氧化层的载流子和或注入所述MOS器件的沟道与氧化层界面的载流子获得足够能量被释放，获得恢复MOS器件。本发明提供的MOS器件缺陷恢复方法，可以恢复热载流子注入效应造成的缺陷，以提高MOS器件性能并拓展应用范围。
主权项：1.一种MOS器件缺陷恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：提供缺陷MOS器件，所述缺陷MOS器件为包含热载流子注入效应所致的缺陷的MOS器件；在惰性气体的气氛保护下，对所述缺陷MOS器件进行加热处理，以使注入所述缺陷MOS器件的氧化层的载流子和或注入所述MOS器件的沟道与氧化层界面的载流子获得足够能量被释放，获得恢复MOS器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州浪潮智能科技有限公司 MOS器件缺陷恢复方法、可靠性测试方法和处理方法
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