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【发明公布】MOS器件缺陷恢复方法、可靠性测试方法和处理方法_苏州浪潮智能科技有限公司_202311098868.5 

申请/专利权人:苏州浪潮智能科技有限公司

申请日:2023-08-29

公开(公告)日:2023-11-24

公开(公告)号:CN117116758A

主分类号:H01L21/324

分类号:H01L21/324;H01L21/336;H01L21/66

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开

摘要:本发明涉及集成电路技术领域,具体提供一种MOS器件缺陷恢复方法,以及应用该方法的MOS器件可靠性测试方法和MOS器件处理方法。MOS器件缺陷恢复方法包括以下步骤:提供缺陷MOS器件,所述缺陷MOS器件为包含热载流子注入效应所致的缺陷的MOS器件;在惰性气体的气氛保护下,对所述缺陷MOS器件进行加热处理,以使注入所述缺陷MOS器件的氧化层的载流子和或注入所述MOS器件的沟道与氧化层界面的载流子获得足够能量被释放,获得恢复MOS器件。本发明提供的MOS器件缺陷恢复方法,可以恢复热载流子注入效应造成的缺陷,以提高MOS器件性能并拓展应用范围。

主权项:1.一种MOS器件缺陷恢复方法,其特征在于,包括以下步骤:提供缺陷MOS器件,所述缺陷MOS器件为包含热载流子注入效应所致的缺陷的MOS器件;在惰性气体的气氛保护下,对所述缺陷MOS器件进行加热处理,以使注入所述缺陷MOS器件的氧化层的载流子和或注入所述MOS器件的沟道与氧化层界面的载流子获得足够能量被释放,获得恢复MOS器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州浪潮智能科技有限公司 MOS器件缺陷恢复方法、可靠性测试方法和处理方法

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