申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-09-20

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117182762A

主分类号：B24B37/04

分类号：B24B37/04;B24B37/26;B24B37/34;B24B57/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明涉及一种低NT影响的CMP加工工艺，所属硅片加工技术领域，抛光设备包括抛光布，抛光布上设有若干呈环形分布的硅片，抛光布上端中心设有内孔槽，抛光布上端外圆上设有外圈台阶槽。低NT影响的CMP加工工艺包括如下操作步骤：第一步：在加工材料抛光布上，因抛光布不存在沟槽，硅片无法对抛光布进行剥离，需要对抛光布进行外圈台阶槽和内孔槽的开槽作业。第二步：在硅片加工结束阶段，抛光设备运行至剥离程序。第三步：抛光头将硅片推至抛光布的内孔槽或外圈台阶槽处，以破除真空环境，进而将硅片剥离抛光布，完成加工。通过抛光设备运行方式及加工材料的完善，有助于提高设备加工对于材料的兼容性，提升加工性能，表现出优异的平坦度参数。

主权项：1.一种低NT影响的CMP加工工艺，其特征在于：抛光设备包括抛光布（1），所述的抛光布（1）上设有若干呈环形分布的硅片（2），所述的抛光布（1）上端中心设有内孔槽（4），所述的抛光布（1）上端外圆上设有外圈台阶槽（3）；低NT影响的CMP加工工艺包括如下操作步骤：第一步：在加工材料抛光布（1）上，因抛光布（1）不存在沟槽，硅片（2）无法对抛光布（1）进行剥离，需要对抛光布（1）进行外圈台阶槽（3）和内孔槽（4）的开槽作业；第二步：在硅片（2）加工结束阶段，抛光设备运行至剥离程序；第三步：抛光头将硅片（2）推至抛光布（1）的内孔槽（4）或外圈台阶槽（3）处，以破除真空环境，进而将硅片（2）剥离抛光布（1），完成加工。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 低NT影响的CMP加工工艺

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