申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2023-11-09

公开（公告）日：2023-12-12

公开（公告）号：CN117219561A

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01L21/67;C23C16/458;C23C16/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.09#授权;2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要：本发明提供了一种降低HARP工艺中晶圆滑片风险的方法，在执行HARP工艺之前，先开启HARP设备的加热台，并至少在所述加热台的表面形成粘附层，然后向HARP设备的反应腔室内通入氦气以对所述粘附层进行表面处理，由于氦气质轻，会先吸附于所述粘附层中，同时由于氦气具有优异的导热性，在受热后容易脱离所述粘附层，脱离的同时会带走所述粘附层表面的化学基团，之后再将晶圆放置于所述加热台上并执行HARP工艺，可以避免在执行HARP工艺时所述粘附层析出气体，在晶圆背面形成气垫导致晶圆滑片的问题，提高了晶圆的良率，降低了制造成本。

主权项：1.一种降低HARP工艺中晶圆滑片风险的方法，其特征在于，包括：提供HARP设备，所述HARP设备包括反应腔室及位于所述反应腔室内的加热台；开启所述加热台，并至少在所述加热台的表面形成粘附层；向所述反应腔室内通入氦气以对所述粘附层进行表面处理；以及，将晶圆放置于所述加热台上并执行HARP工艺。

全文数据：

权利要求：

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