申请/专利权人:天津工业大学
申请日:2023-08-09
公开(公告)日:2023-12-15
公开(公告)号:CN117236256A
主分类号:G06F30/367
分类号:G06F30/367;G06F119/08
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开
摘要:本发明公开了一种ASM‑GaNHEMT的spice模型参数提取方法,涉及半导体领域,包括以下步骤:步骤一、确定器件工艺参数;步骤二、提取在线性区域时电流_电压关系曲线相关参数;步骤三、提取300K时电流_电压关系曲线相关参数;步骤四、提取与温度相关的参数。本发明提高了ASM‑GaNHEMT的spice模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。
主权项:1.一种ASM-GaNHEMT的spice模型参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、确定器件工艺参数;步骤二、提取在线性区域时电流_电压关系曲线相关参数;步骤三、提取300K时电流_电压关系曲线相关参数;步骤四、提取与温度相关的参数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津工业大学 ASM-GaN HEMT的spice模型参数提取方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。