申请/专利权人：芯和半导体科技(上海)股份有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN117252151A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;G06F113/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本发明公开了一种QFP封装器件EPad中心区域下沉处理方法、系统及介质，属于EDA版图仿真领域。针对现有EPad中心区域下沉依赖于手动操作效率慢且操作繁琐的问题，本发明提供一种QFP封装器件EPad中心区域下沉处理方法，包括如下步骤：获取EPad区域的数据，以及EPad区域中下沉处理参数；构建EPad下沉划分区域；将EPad区域的所有线段数据形成不同区域的点集；计算EPad拐角区域数据；将计算的模型数据进行建模操作，完成EPad中心区域下沉处理。本发明以区域为单位进行整体操作避免了以往手动逐个进行编辑所带来的效率慢且操作易出错的情况；既能够便于用户直观快速看到建模效果，又使得在EPad区域数据复杂的情况下，仍能够快速且高效的进行操作处理，保证效率与精度之间的兼得。

主权项：1.一种QFP封装器件EPad中心区域下沉处理方法，其特征在于：包括如下步骤：获取EPad区域的数据，以及EPad区域中下沉处理参数，所述EPad区域包括中心下沉区域和多个引脚区域；所述数据包括点数据和线段数据；所述下沉处理参数包括下沉的宽度、高度、深度以及建模的厚度；构建一次EPad下沉划分区域，所述一次EPad下沉划分区域包括中心下沉区域和多个引脚区域；遍历EPad区域的所有线段数据，判断每个线段数据属于一次EPad下沉划分区域的中心下沉区域或多个引脚区域，并形成中心下沉区域的一次点集和多个引脚区域的一次点集；将EPad下沉划分区域中的中心下沉区域外扩后重新构建二次EPad下沉划分区域，并遍历EPad区域的所有线段数据，判断每个线段数据属于二次EPad下沉划分区域的中心下沉区域或多个引脚区域，并形成中心下沉区域的二次点集和多个引脚区域的二次点集；所述外扩的值为建模的厚度值；计算EPad拐角区域数据：将中心下沉区域的二次点集与多个引脚区域的一次点集进行相交处理，得到EPad拐角区域数据；将计算的模型数据进行建模操作，完成EPad中心区域下沉处理；所述模型数据包括EPad拐角区域数据、中心下沉区域的二次点集数据和多个引脚区域的一次点集数据。

全文数据：

权利要求：

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