申请/专利权人:北京智慧能源研究院;国网山西省电力公司信息通信分公司;国家电网有限公司
申请日:2023-09-25
公开(公告)日:2023-12-19
公开(公告)号:CN117253789A
主分类号:H01L21/3213
分类号:H01L21/3213;H01L21/28;H01L29/45;H01L29/41;C09K13/06
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2023.12.19#公开
摘要:本发明提供了一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法及器件,属于半导体制造技术领域。其中,方法包括:在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层;在待腐蚀区域表面上旋涂光刻胶,并进行光刻处理,形成具有预设形状窗口的光刻胶膜;通过预设形状窗口对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀,然后根据刻蚀液对膜的腐蚀选择性特点,再进行钛铝金属膜腐蚀使铝层边缘缩进,去除光刻胶膜,从而实现底层钛超出铝边缘的腐蚀形貌。本发明通过二次铝层腐蚀的方法,既可以去除铝屋檐结构,又可以实现钛金属层超出铝层边缘的独特形貌,使金属电极接触更加充分,从而使边缘不易脱落,也为后续工艺提供更加良好的接触界面,以到提高芯片可靠性的目的。
主权项:1.一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法,其特征在于,包括:S1、在晶圆表面依次通过沉积法形成金属钛层和金属铝层;S2、在待加工区域表面对应旋涂光刻胶,并进行光刻处理,形成具有预设形状窗口的光刻胶膜;S3、通过所述预设形状窗口依次对所述金属铝层和所述金属钛层进行腐蚀,得到具有对应形状窗口的金属钛层和金属铝层;S4、通过所述预设形状窗口再次对所述金属铝层进行腐蚀,得到窗口内侧所述金属钛层横向超出所述金属铝层边缘的腐蚀形貌;去除所述光刻胶膜。
全文数据:
权利要求:
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