申请/专利权人：燕山大学

申请日：2023-10-13

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117393623A

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;C25D13/02;C25D13/12;C25D13/20;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0236

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明提供一种异质结密度可控的MoSe2SnSe异质薄膜、太阳能电池薄膜材料及其制备方法，本发明的制备方法包括以下步骤：以MoSe2、SnSe粉末为原料通过研磨和液相剥离分别获得丙酮乙醇体积比为1:0.1‑5为溶剂的纳米片有机悬浮液。利用电泳沉积技术在ITOPET基底上沉积MoSe2SnSe异质结薄膜。通过调节ITO基底的裂纹密度来控制MoSe2SnSe薄膜中异质结的密度。并将MoSe2SnSe异质结薄膜用于太阳能电池。本发明所述制备方法具有操作简单、制备流程简易、沉积速率快且成本低等优点，利用本发明的制备方法制备的异质结密度可控的MoSe2SnSe薄膜在太阳能电池、光电化学等方面具有非常大的潜在应用价值。

主权项：1.一种异质结密度可控的异质薄膜的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：S1、制备MoSe2和SnSe粉末及有机溶剂：以MoSe2、SnSe粉末为原料进行研磨，将丙酮和无水乙醇按体积比1:0.1-5进行混合，作为MoSe2和SnSe的液相解离有机溶剂和悬浮液有机溶剂；S2、制备MoSe2SnSe纳米片有机悬浮液：将研磨后的MoSe2和SnSe粉末分别置于有机混合溶剂中，通过液相剥离技术利用超声细胞粉碎机在冰浴环境下对MoSe2和SnSe分别进行剥离得到MoSe2和SnSe纳米片有机悬浮液，之后将超声粉碎后的MoSe2和SnSe纳米片有机悬浮液按体积比1:0.1-5进行混合，并通过磁力搅拌获得均一MoSe2SnSe纳米片有机悬浮液；S3、制备异质结密度能控制的ITOPET基底：通过弯折使ITO层出现裂纹，通过控制弯折的半径和弯折方向实现双向裂纹和裂纹密度调整，实现异质结密度的调控；S4、基于步骤S2得到的均一MoSe2SnSe纳米片有机悬浮液和步骤S3中的ITOPET基底，在ITOPET基底上沉积均一MoSe2SnSe纳米片有机悬浮液制备MoSe2SnSe异质薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 燕山大学 异质结密度可控的MoSe₂/SnSe异质薄膜、太阳能电池薄膜材料及其制备方法

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