申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2023-03-09

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN117476666A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;G02F1/1362;G02F1/1368

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本申请实施例提供一种LTPO基板的制作方法、LTPO基板以及显示面板，制得的LTPO基板包括第一TFT和第二TFT，其中，第一TFT包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一有源层，第二TFT包括第二源极、第二漏极、第二栅极和第二有源层，由于第一有源层的材料包括低温多晶硅，第二有源层的材料包括氧化物半导体，因此，第一TFT即为低温多晶硅薄膜晶体管，第二TFT即为氧化物薄膜晶体管，本申请实施例提供的LTPO基板的制作方法采用6道光罩制程实现，与现有技术相比，可以节约至少两道光罩制程，从而可以降低LTPO基板的生产成本，并且可以缩减LTPO基板的生产流程。

主权项：1.一种LTPO基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一源漏极层，所述第一源漏极层包括间隔设置的第一源极和第一漏极；在所述第一源漏极层和所述衬底上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔对应所述第一源极，所述第二通孔对应所述第一漏极；在所述绝缘层上形成第一有源层，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅；在所述第一有源层和所述绝缘层上形成第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层上形成栅极层，所述栅极层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极对应所述第一有源层；对所述第一有源层进行掺杂处理，所述第一有源层上对应于所述第一栅极两侧的区域被掺杂后分别形成源极接触区和漏极接触区，所述第一有源层上对应于所述栅极的区域未被掺杂形成沟道区，所述源极接触区经由所述第一通孔与所述第一源极相连，所述漏极接触区经由所述第二通孔与所述第一漏极相连；在所述栅极层和所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层，所述第二源漏极层包括间隔设置的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层的两端电性连接，所述第二有源层对应所述第二栅极设置，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 LTPO基板的制作方法、LTPO基板以及显示面板

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