申请/专利权人：重庆大学

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN115377291B

主分类号：H10K30/40

分类号：H10K30/40;H10K30/88;H10K71/12;H10K71/40;H10K30/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本发明涉及一种自下而上的2D3D钙钛矿异质结及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用，属于太阳能电池领域。本发明通过在钙钛矿吸光层的前驱液中添加2‑氨基茚满盐酸盐AICl，与碘化铅PbI2在空穴传输层与钙钛矿层之间的界面形成了自下而上的2D3D钙钛矿异质结。一方面，通过构筑自下而上的2D3D钙钛矿异质结能够调节钙钛矿吸光层的结晶，改善其电学性质；另一方面，构筑的自下而上的2D3D钙钛矿异质结能够改善界面能带排列，促进界面载流子转移与提取，抑制界面载流子非辐射复合。通过2D3D钙钛矿异质结的构筑提高了钙钛矿太阳能电池的功率转换效率、长期运行稳定性及湿热稳定性，该技术能够加速钙钛矿太阳能电池的商业化应用。

主权项：1.一种自下而上的2D3D钙钛矿异质结的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体如下：将2-氨基茚满盐酸盐加入钙钛矿前驱液中，旋涂在衬底上，在100-150℃下退火5-30min，即可在衬底上形成自下而上的2D3D钙钛矿异质结；所述钙钛矿前驱液中含有化学式为ABX3的前驱体材料；所述自下而上的2D3D钙钛矿异质结包括下层的2D钙钛矿和上层的3D钙钛矿，其中所述2D钙钛矿的化学式为AI2An-1BnX3n+1，所述AI为2-氨基茚满阳离子，所述3D钙钛矿的化学式为ABX3；其中n为大于等于1的整数，A为CH3NH3+、CHNH22+、Cs+或Rb+中的任意一种或几种，B为Pb2+、Sn2+或Ge2+中的任意一种或几种，X为Cl-、Br-或I-中的任意一种或几种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种自下而上的2D/3D钙钛矿异质结及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用

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