申请/专利权人：深圳大学

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN117544320A

主分类号：H04L9/32

分类号：H04L9/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于施密特反相器的物理不可克隆函数电路及其控制方法，该物理不可克隆函数电路包括移位寄存器、单元阵列及多路选择器；所述单元阵列由多个稳态转化单元；所述稳态转化单元的首尾依次相连，每一所述稳态转化单元的输出端均与所述多路选择器中对应的一个输入端相连接；每一所述稳态转化单元的控制输入端均与所述移位寄存器中对应的一个控制输出端相连接。上述的物理不可克隆函数电路，采用施密特反相器构建交叉耦合结构，并采用稳态转化单元作为物理不可克隆函数电路中的单元结构，该稳态转化单元在求值阶段采用四级反相器级联结构，而当输出稳定后又可复用为具有高稳态可靠性的交叉耦合结构，具有低功耗高可靠性的应用效果。

主权项：1.一种基于施密特反相器的物理不可克隆函数电路，其特征在于，包括移位寄存器、单元阵列及多路选择器；所述单元阵列由多个稳态转化单元；所述稳态转化单元的首尾依次相连，每一所述稳态转化单元的输出端均与所述多路选择器中对应的一个输入端相连接；每一所述稳态转化单元的控制输入端均与所述移位寄存器中对应的一个控制输出端相连接；所述稳态转化单元包括两个施密特触发型反相器、第一选通MOS管、第二选通MOS管及第三选通MOS管；所述第一选通MOS管的栅极、所述第二选通MOS管的栅极及所述第三选通MOS管的栅极分别作为所述稳态转化单元的三个控制输入端；所述第一选通MOS管的第一连接端作为所述稳态转化单元的输入端，所述第一选通MOS管的第二连接端同时与一个所述施密特触发型反相器的输入端、所述第二选通MOS管的第一连接端及所述第三选通MOS管的第一连接端相连接；所述稳态转化单元中的一个所述施密特触发型反相器的输出端连接另一个所述施密特触发型反相器的输入端，且连接点与所述第二选通MOS管的第二连接端相连接；所述第三选通MOS管的第二连接端与另一个所述施密特触发型反相器的输出端相连接，且连接点作为所述稳态转化单元的输出端。

全文数据：

权利要求：

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