申请/专利权人：武汉中导光电设备有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117558645A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G06T7/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明公开了一种大数据Wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性；根据所述缺陷属性对所述待检测Wafer进行缺陷分析，获得分析结果；判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型；能够对缺陷进行宏观的分析，对现有的检测结果进行深度挖掘，按照缺陷的特点来分析其来源，协助提升了Wafer芯片的制造工艺，提升了Wafer缺陷确定的精度，提高了大数据Wafer缺陷确定的速度和效率。

主权项：1.一种大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述大数据Wafer缺陷确定方法包括：对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性；根据所述缺陷属性对所述待检测Wafer进行缺陷分析，获得分析结果；判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉中导光电设备有限公司 大数据Wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质

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