申请/专利权人：厦门腾睿微电子科技有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117277761B

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/32;H02M1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.13#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明公开了一种集成米勒钳位保护电路的驱动装置，用于驱动SiCMOSFET，其包括：充电模块，用于对SiCMOSFET的栅极充电，并可控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig的大小；放电模块用于对SiCMOSFET栅极放电，并通过控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig大小；米勒钳位保护模块，用于产生米勒钳位电压Vf，当SiCMOSFET的栅源极电压Vgs大于米勒钳位电压Vf时，关断SiCMOSFET。本申请可对SiCMOSFET栅极电流精确控制及对位移电流有效抑制，从而提高SiCMOSFET的开关性能及可靠性。

主权项：1.一种集成米勒钳位保护电路的驱动装置，用于驱动SiCMOSFET，其特征在于，该装置包括：充电模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于对SiCMOSFET的栅极充电，并控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig的大小；其中所述充电模块包括多个输出端的第一电流镜单元以及多个充电通道的第一开关控制单元；其中每个所述充电通道的额定电流量不同；放电模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于对SiCMOSFET栅极放电，并通过控制其输出电流的大小以调节SiCMOSFET的栅极电流Ig大小；其中所述放电模块包括多个输出端的第二电流镜单元以及多个放电通道的第二开关控制单元；其中每个所述放电通道的额定电流量不同；米勒钳位保护模块，其与SiCMOSFET的栅极连接，用于产生米勒钳位电压Vf，当SiCMOSFET的栅源极电压Vgs大于米勒钳位电压Vf时，关断SiCMOSFET，防止SiCMOSFET误导通；其中所述米勒钳位保护模块包括多个输出端的米勒钳位电压设置电路以及多个分压通道的第三开关控制单元；其中每个分压通道的额定分压电阻不同；所述第一电流镜单元的输入端输入第一输入电流I10，其输出端经所述第一开关控制单元与所述SiCMOSFET的栅极连接；所述第一电流镜单元包括一个第一PMOS管及四个第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和漏极分别输入第一输入电流I10，其源极与电源VDD连接，所述第二PMOS管的栅极分别输入第一输入电流I10，其源极与所述电源VDD连接，其漏极通过所述第一开关控制单元与所述SiCMOSFET的栅极连接，其中四个所述第二PMOS管的额定电流量比例关系为1：2：4：8；所述第一开关控制单元包括四个第一开关控制子单元，每个所述第一开关控制子单元包括一第三PMOS管及一存储有外部程序控制信号的第一寄存器DH，所述第一开关控制子单元与所述第二PMOS管一一对应，且每个所述第二PMOS管的导通是通过对应的所述第一开关控制子单元进行控制，每个所述第三PMOS管的源极与一个第二PMOS管的漏极连接，其栅极与一个第一寄存器DH连接，其漏极与所述SiCMOSFET的栅极连接，当改变多个所述第一寄存器DH内的外部程序控制信号时，通过所述第三PMOS管关断控制所述第二PMOS管的导通数量以控制第一电流镜单元输出电流的大小；所述第二电流镜单元的输入端输入第二输入电流I0，其输出端经所述第二开关控制单元与所述SiCMOSFET的栅极连接；所述第二电流镜单元包括一个第一NMOS管及四个第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极和漏极分别输入第二输入电流I0，其源极接地，所述第二NMOS管的栅极分别输入第二输入电流I0，其源极接地，其漏极通过所述第二开关控制单元与所述SiCMOSFET的栅极连接，其中四个所述第二NMOS管的额定电流量比例关系为1：2：4：8；所述第二开关控制单元包括四个第二开关控制子单元，每个所述第二开关控制子单元包括一第三NMOS管及一存储有外部程序控制信号的第二寄存器DL，所述第二开关控制子单元与所述第二NMOS管一一对应，且每个所述第二NMOS管的导通是通过对应的第二开关控制子单元进行控制，每个所述第三NMOS管的源极分别与一个第二NMOS管的漏极连接，其栅极与一个第二寄存器DL连接，其漏极与所述SiCMOSFET的栅极连接，当改变多个所述第二寄存器DL内的外部程序控制信号时，通过所述第三NMOS管关断控制所述第二NMOS管的导通数量以控制第二电流镜单元输出电流的大小；所述米勒钳位保护模块包括第一比较器A1、米勒钳位电压设置电路及第四NMOS管，所述第一比较器A1的正相输入端与米勒钳位电压设置电路连接，其反相输入端与所述SiCMOSFET的栅极连接，其输出端与第四NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的漏极与所述SiCMOSFET的栅极连接，其源极与数字地VSS连接；所述米勒钳位电压设置电路包括第一电阻R1及四个分压电阻，所述第一电阻R1的一端与第一比较器A1的正相输入端连接，其另一端接地，四个所述分压电阻之间串联后的一端与所述第一比较器A1的正相输入端连接，其另一端与外部输入电压端连接；其中第一电阻R1和四个分压电阻的阻值比例关系为1：2：4：8：16；所述米勒钳位保护模块还包括第三开关控制单元，所述第三开关控制单元与所述分压电阻并联，所述第三开关控制单元包括四个第三开关控制子单元，每个所述第三开关控制子单元包括一第四PMOS管及一存储有外部程序控制信号的第三寄存器DT，所述第三开关控制子单元与所述分压电阻一一对应，且每个所述分压电阻是否短路通过对应的第三开关控制子单元进行控制，每个所述第四PMOS管的源极和漏极分别与一个分压电阻的两端连接，其栅极与一个第三寄存器DT连接，当改变多个所述第三寄存器DT内的外部程序控制信号时，通过所述第四PMOS管控制分压电阻的数量来控制米勒钳位电压Vf的大小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门腾睿微电子科技有限公司 集成米勒钳位保护电路的驱动装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD