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【发明授权】p型硅晶片中的Fe浓度测定方法和SPV测定装置_胜高股份有限公司_201880082908.8 

申请/专利权人:胜高股份有限公司

申请日:2018-10-02

公开(公告)日:2024-02-20

公开(公告)号:CN111771268B

主分类号:H01L21/66

分类号:H01L21/66

优先权:["20171222 JP 2017-246979","20171222 JP 2017-246955"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.02.20#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要:本发明提供了能够提高1×109cm3以下的Fe浓度的测定精度的利用SPV法的p型硅晶片中的Fe浓度测定方法。本发明是一种p型硅晶片中的Fe浓度测定方法,其特征在于,在基于对p型硅晶片进行的利用SPV法的测定来求取该p型硅晶片中的Fe浓度时,所述测定在Na+、NH4+和K+的合计浓度为1.750μgm3以下并且F‑、Cl‑、NO2‑、PO43‑、Br‑、NO3‑和SO42‑的合计浓度为0.552μgm3以下的环境下进行。

主权项:1.一种p型硅晶片中的Fe浓度测定方法,其特征在于,在基于对p型硅晶片进行的利用SPV法的测定来求取该p型硅晶片中的Fe浓度时,在所述测定之前,对所述p型硅晶片的表面实施HF处理,使所述表面带正电,之后进行的所述测定在Na+、NH4+和K+的合计浓度为1.750μgm3以下并且F-、Cl-、NO2-、PO43-、Br-、NO3-和SO42-的合计浓度为0.552μgm3以下的环境下进行。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 胜高股份有限公司 p型硅晶片中的Fe浓度测定方法和SPV测定装置

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