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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法，属于半导体工艺制造领域。首先提供衬底，在衬底上依次形成外延硅层、二氧化硅层和阻挡层；接着刻蚀形成STI硅浅槽，在STI硅浅槽侧壁和底部热氧化生长SiO2薄膜；然后采用CVD方法进行HDP介质填充，再进行高温退火处理，并对HDP介质进行平坦化；最后进行阱注入、栅氧生长、多晶生长及刻蚀、轻掺杂漏注入、侧墙生长刻蚀以及源漏注入，后续工艺遵循通用的CMOS工艺制程。本发明采用氟硅酸盐玻璃替代传统的SiO2作为STI介质，通过氟硅酸盐玻璃降低电离辐射在STI中产生的正电荷数量，进而降低场区边缘漏电，从而使得高压NMOS器件在相同辐射环境下，具有更高的抗辐射能力。
主权项：1.一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法，其特征在于，采用氟硅酸盐玻璃作为STI介质，以降低电离辐射在STI中产生的正电荷数量，进而降低场区边缘漏电，使高压NMOS器件在相同辐射环境下，具有更高的抗辐射能力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法
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