申请/专利权人：桂林理工大学

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117587355A

主分类号：C23C4/134

分类号：C23C4/134;C23C4/06;B22F1/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本发明提供了一种TaN增强型高熵合金喷焊层及其制备方法，属于材料表面改性技术领域。本发明由0.1％～5％的TaN和95％～99.9％的高熵合金基体FeCoNiCrMo组成，采用原位合成法或非原位合成法制备。本发明合金喷焊层的腐蚀电流密度为1.472×10‑7～2.131×10‑7Acm2，自腐蚀电位为‑0.132～‑0.104VSCE，点蚀电位为0.548～0.972VSCE，有高腐蚀电位和低腐蚀电流密度，实验检测结果表明其耐蚀性、显微硬度及耐磨性与原有高熵合金基体相比有显著的提高，同时Ta细化晶粒，强化了综合力学性能，并且制备工艺简单，可重复性强。

主权项：1.一种TaN增强型高熵合金喷焊层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1将金属基材除去氧化层后清洗预热；2称取金属粉末，真空熔炼后精炼、浇注，得到高熵合金棒材，将高熵合金棒材真空气雾化制粉、过筛、烘干，得到高熵合金基体粉末；3将高熵合金基体粉末与Ta粉放入混料机中混合均匀，烘干，得到高熵合金喷焊混合材料；4利用等离子喷焊设备将高熵合金喷焊混合材料喷焊于步骤1预热好的金属基材上，得到TaN增强型高熵合金喷焊层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桂林理工大学 一种TaN增强型高熵合金喷焊层及其制备方法

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