申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2023-11-24

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117604485A

主分类号：C23C16/26

分类号：C23C16/26;C23C16/32;C23C16/50;C23C16/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明公开了一种在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜及其制备方法，基于等离子增强化学气相沉积PECVD的方法，获得了在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜，改性薄膜包括附着在阴极辊钛金属表面的Ti‑C渐变层和Ti‑C渐变层表面的DLC层；本发明制备的改性薄膜隔绝了阴极辊钛金属表面与氧气的接触，减缓乃至消除了阴极辊表面氧化斑的生成，延长了阴极辊的使用寿命，且对阴极辊本身并不造成任何破坏，具有操作简单，成本低廉，设备可长期稳定有效运行的特点。

主权项：1.一种在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜，其特征在于：包括附着在阴极辊钛金属表面的Ti-C渐变层和Ti-C渐变层表面的DLC层，所述Ti-C渐变层厚度为50-100nm，DLC膜厚度为250-400nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜及其制备方法

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