申请/专利权人：昭荣化学工业株式会社

申请日：2019-06-28

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN110655922B

主分类号：C09K11/88

分类号：C09K11/88;H10K50/115;B82Y20/00;B82Y40/00

优先权：["20180629 US 62/691,873"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权;2023.11.03#专利申请权的转移;2021.07.16#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：本发明涉及纳米技术领域。更具体地，本发明涉及高发光的纳米结构，特别是包括铟掺杂的ZnSe核及ZnS和或ZnSe壳层的高发光纳米结构。本发明还涉及产生这种纳米结构的方法。

主权项：1.一种纳米结构，其包括被至少一个壳包围的核，其中所述核由ZnSe和铟掺杂剂组成，其中所述至少一个壳包含ZnS，并且其中所述纳米结构的发射波长在435nm和500nm之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昭荣化学工业株式会社 使用In³⁺盐作为掺杂剂的ZnSe量子点的波长调谐

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