申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637945A

主分类号：H01L33/08

分类号：H01L33/08;H01L33/02;H01L33/00;H01L27/15

优先权：["20220830 KR 10-2022-0109268"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.01#公开

摘要：本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。

主权项：1.一种多波长发光器件，配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光，所述多波长发光器件包括：基板；提供在所述基板上的第一类型半导体层；提供在所述第一类型半导体层上的有源层；提供在所述有源层上的第二类型半导体层；以及提供在所述第二类型半导体层上的电极，其中所述有源层包括：配置为发射所述第一波长的光的第一有源区；配置为发射所述第二波长的光的第二有源区；以及配置为发射所述第三波长的光的第三有源区，其中所述第一类型半导体层包括：对应于所述第一有源区的第一区域；对应于所述第二有源区的第二区域；以及对应于所述第三有源区的第三区域，其中所述第一类型半导体层的所述第一区域包括第一纳米孔，其中所述第一类型半导体层的所述第二区域包括第二纳米孔，以及其中所述第一类型半导体层的所述第一区域的第一孔隙率不同于所述第一类型半导体层的所述第二区域的第二孔隙率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法

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