申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117623773A

主分类号：C04B35/495

分类号：C04B35/495

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其结构式为Sr0.5Ba0.47Gd0.02Nb1.5M0.5O6，M为Ta13Sb13Hf13、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的一种。本发明还公开了高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，称取前驱体原料，球磨，干燥，将得到的混合物预烧，将预烧粉进行造粒，过筛，压片，排胶，烧结，即可。本发明的高熵铁电储能陶瓷材料在550kVcm外加电场作用下不被击穿，具有较高的储能密度和储能效率，满足先进脉冲功率电容器的需求。

主权项：1.非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其特征在于，其结构式为Sr0.5Ba0.47Gd0.02Nb1.5M0.5O6，M为Ta13Sb13Hf13、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的任意一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法

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