申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2016-07-28

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN112087205B

主分类号：H03F1/30

分类号：H03F1/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要：本发明提供了一种用于偏置MMICHEMT放大器602的栅极的补偿器器件100，所述补偿器器件100包括两个电阻器R1和R2以及与所述两个电阻器R1和R2串联连接并且位于所述两个电阻器R1和R2之间的至少两个HEMTQ1、Q2、……、QN，其中，选择所述电阻器R1和R2以及所述HEMTQ1、Q2、……、QN，使得在补偿器器件100的操作中，至少一个第一HEMTQ1的偏置点在饱和区中，至少一个第二HEMTQ2的偏置点在欧姆区中。

主权项：1.一种补偿器器件（100），其特征在于，包括：两个电阻器（R1、R2）；与所述两个电阻器（R1、R2）串联连接并且位于所述两个电阻器（R1、R2）之间的至少两个高电子迁移率晶体管HEMT（Q1、Q2），输入端口（VS），与每个高电子迁移率晶体管HEMT（Q1、Q2）的栅极相连接，通过所述输入端口（VS）的电压，为所述至少两个高电子迁移率晶体管HEMT（Q1、Q2）设置至少两个不同的偏置点；其中：至少一个第一高电子迁移率晶体管HEMT（Q1）的偏置点在饱和区中，至少一个第二高电子迁移率晶体管HEMT（Q2）的偏置点在欧姆区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件

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