申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-08-19

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117636933A

主分类号：G11C11/02

分类号：G11C11/02;G11C7/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明提供了一种MRAM读取电路。该MRAM读取电路包括读单元、参考单元和读放大器，读放大器的输入端分别与读单元和参考单元电连接，读单元包括至少一个磁存储隧道结，参考单元包括：参考电阻模块，与读放大器的输入端连接；测温模块，用于获取MRAM读取电路的环境温度并输出温度信号；控制模块，分别与参考电阻模块和测温模块连接，用于接收温度信号，并根据环境温度调节参考电阻模块的总阻值。通过测温模块对读取电路的周围环境进行检测，进而将检测到的环境温度反馈至控制模块，控制模块根据环境温度对参考电阻模块的电阻阻值进行调节，以使参考电阻模块的阻值与读单元的阻值相匹配，从而保证读写信息的稳定性。

主权项：1.一种MRAM读取电路，其特征在于，包括读单元、参考单元和读放大器，所述读放大器的输入端分别与所述读单元和所述参考单元电连接，所述读单元包括至少一个磁存储隧道结，所述参考单元包括：参考电阻模块，与所述读放大器的输入端连接；测温模块，用于获取所述MRAM读取电路的环境温度并输出温度信号；控制模块，分别与所述参考电阻模块和所述测温模块连接，用于接收所述温度信号，并根据所述环境温度调节所述参考电阻模块的总阻值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 MRAM读取电路

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