申请/专利权人：信越化学工业株式会社

申请日：2023-09-06

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117666284A

主分类号：G03F7/039

分类号：G03F7/039;G03F7/004;G03F1/56;G03F1/50;G03F1/22

优先权：["20220907 JP 2022-141973"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物；该基础聚合物包含含有下式A1表示的含酚性羟基的单元及下式A2表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。

主权项：1.一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物；该基础聚合物包含含有下式A1表示的含酚性羟基的单元及下式A2表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上； 式中，a1为符合0≤a1≤5+2a3-a2的整数；a2为1～3的整数；a3为0～2的整数；RA为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基；X1为单键、*-C＝O-O-或*-C＝O-NH-；*为和主链的碳原子的原子键；A1为单键或碳数1～10的饱和亚烃基，且该饱和亚烃基的-CH2-的一部分也可被-O-取代；R1为卤素原子、也可被卤素原子取代的碳数2～8的饱和烃基羰基氧基、也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基或也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基氧基； 式中，b1为1或2；b2为1或2；b3为0～4的整数；b4为0～2的整数；RA为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基；X2为单键或*-C＝O-O-；*为和主链的碳原子的原子键；RAL为和相邻的氧原子一起形成的酸不稳定基团；RX为卤素原子、硝基、氰基、碳数1～5的酰基、碳数1～5的氟化饱和烃基、碳数1～5的氟化饱和烃基氧基或碳数1～5的氟化饱和烃基硫代基；b1＝1时，-O-RAL及-RX互相键结于芳香环上的相邻的碳原子；b1＝2时，2个-O-RAL中的至少1个键结于和-RX所键结的芳香环上的碳原子相邻的碳原子；R2分别独立地为也可含有杂原子的碳数1～20的烃基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

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