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申请/专利权人：致真存储(北京)科技有限公司
申请日：2023-11-22
公开（公告）日：2024-03-08
公开（公告）号：CN117672287A
主分类号：G11C11/16
分类号：G11C11/16;G11C7/22
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开
摘要：本发明提供一种应用于磁性随机存储器的写入监测电路，涉及磁性存储器技术领域。该写入监测电路包括全差分放大器、第一开关器件、第二开关器件、第一监测端和第二监测端；全差分放大器两个输入端分别连接第一监测端、第二监测端；全差分放大器的两个输出端连接控制电路，控制电路根据输出端的输出电平的变化判断MTJ是否写入完成；第一开关器件的两端分别连接全差分放大器的同相输入端和负差分输出端；第二开关器件两端分别连接反相输入端和正差分输出端；第一监测端和第二监测端中的至少一个监测端与写入电路或读出电路连接。本发明MRAM的写入监测电路能够监测MTJ是否写入完成，在MTJ写入完成时，可以及时结束写入操作，避免额外的写入功耗。
主权项：1.一种应用于磁性随机存储器的写入监测电路，其特征在于，所述写入监测电路包括全差分放大器、第一开关器件、第二开关器件、第一监测端和第二监测端；所述全差分放大器的同相输入端连接第一监测端，反相输入端连接第二监测端；所述全差分放大器的两个输出端分别连接控制电路，所述控制电路用于根据输出端的输出电平的变化判断磁性随机存储器是否写入完成；所述第一开关器件的两端分别连接全差分放大器的同相输入端和负差分输出端；第二开关器件两端分别连接差分放大器的反相输入端和正差分输出端；所述第一监测端和第二监测端中的其中一个监测端与磁性随机存储器的写入电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 致真存储(北京)科技有限公司 应用于磁性随机存储器的写入监测电路
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