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【发明公布】GPIO电路_四川和芯微电子股份有限公司_202311641058.X 

申请/专利权人:四川和芯微电子股份有限公司

申请日:2023-12-01

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117674818A

主分类号:H03K19/0175

分类号:H03K19/0175;H03K19/20

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本发明公开了一种GPIO电路,其输出通路包括第一电平转换单元、与非门、第一缓冲器、第一MOS管、或非门、第二缓冲器、第二MOS管及电平控制单元;与非门、第一缓冲器及第一MOS管依次顺序连接,或非门、第二缓冲器及第二MOS管依次顺序连接,第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极共同连接并与外部电路连接,以将输入的低电平转换成高电平,第一电平转换单元的输出端分别与或非门、与非门的一输入端连接;当第二电源输出高电平至电平控制单元时,电平控制单元输出低电平至与非门的另一输入端,并输出高电平至或非门的另一输入端。本发明的GPIO电路在上电过程中,不会产生大电流的情况,使得整个GPIO电路对上电顺序不再有要求,解决了大电流问题,不会损坏器件,延长了器件的使用寿命。

主权项:1.一种GPIO电路,包括输出通路与输入通路,所述输出通路将低电平转换成高电平,所述输入通路将高电平转换成低电平,其特征在于,所述输出通路包括第一电平转换单元、与非门、第一缓冲器、第一MOS管、或非门、第二缓冲器、第二MOS管及电平控制单元;与非门、第一缓冲器及第一MOS管依次顺序连接,或非门、第二缓冲器及第二MOS管依次顺序连接,所述第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极共同连接并与外部电路连接,外部产生低电平的第一电源与产生高电平的第二电源均与所述第一电平转换单元连接,以将输入的低电平转换成高电平,所述第一电平转换单元的输出端分别与或非门、与非门的一输入端连接;外部第一电源、第二电源均与所述电平控制单元连接,当所述第二电源输出高电平至所述电平控制单元时,所述电平控制单元输出低电平至所述与非门的另一输入端,并输出高电平至所述或非门的另一输入端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川和芯微电子股份有限公司 GPIO电路

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