申请/专利权人：首都医科大学附属北京天坛医院

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672620A

主分类号：H01B13/00

分类号：H01B13/00;A61N1/05;H01B5/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种用于DBS装置的柔性电极及加工方法，包括：在预处理后的硅基板上旋涂PR光刻胶，在PR光刻胶上方沉积柔性层，在柔性层上方再次旋涂PR光刻胶，按电极位置进行图形化掩膜曝光显影，通过溅射金属后，剥去上层的部分PR光刻胶，形成金属电极，在金属电极外侧再次沉积柔性层，将金属电极包覆后，对柔性层进行刻蚀，使得金属电极若干区域与外界接触，通过湿法刻蚀剥离硅基板，得到柔性电极，在柔性电极的电极引出端进行电镀形成接线端，与外部导线进行连接；该方法通过刻蚀工艺对柔性层进行加工，使柔性层内侧的金属电极与外界接触，进行电性连接，柔性电极可进行弯折调节，该加工方法可以加工不同型号规格的柔性电极，有较好的适配性。

主权项：1.一种用于DBS装置的柔性电极加工方法，其特征在于，包括：S1：在预处理后的硅基板上旋涂一第一层PR光刻胶，在所述第一层PR光刻胶上方沉积一第一柔性层，所述第一柔性层作为电极的基底；S2：在所述柔性层上方再次旋涂一第二层PR光刻胶；S3：在所述第二层PR光刻胶上进行图形化掩膜曝光显影，以暴露电极形成区；S4：通过溅射金属工艺，在所述电极形成区沉积形成对应的金属电极；S5：去除剩余的所述第二层PR光刻胶；S6：在暴露的所述金属电极上继续形成一第二柔性层；S7：继续对所述第二柔性层进行刻蚀以暴露所述电极的电极引出端，所述电极引出端用以与外部导线连接；S8：去除所述硅基板和所述第一层PR光刻胶，以释放整体为柔性的电极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 首都医科大学附属北京天坛医院 一种用于DBS装置的柔性电极及加工方法

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