申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2023-11-24

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117684265A

主分类号：C30B29/22

分类号：C30B29/22;C30B25/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr2和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。本发明通过化学气相沉积法在硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无机CsSnBr3单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发光和光伏器件的开发。

主权项：1.一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将SnBr2和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为565-580℃，加热时长为10-20min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用

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