申请/专利权人：华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所);湖北久之洋红外系统股份有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117702052A

主分类号：C23C14/10

分类号：C23C14/10;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/46;G02B1/115

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供了一种耐压型蓝宝石窗口三波段增透膜及其制备方法，制备方法包括如下步骤：蓝宝石基片的镀膜前准备及离子刻蚀清洗；离子束溅射交替镀制二氧化硅和氧化钽：开启双离子源，主离子源：束压1150V~1250V，束流850A~950A，加速电压350V~450V，次离子源：束压240V~260V，束流180A~220A，加速电压480V~520V，靶材氧气流量：二氧化硅沉积时28sccm~32sccm，氧化钽沉积时38sccm~42sccm；镀膜结束后，进行热处理；离子刻蚀后镀制全氟聚醚聚合物膜层。本发明的方法显著提升了增透膜的耐压性能，使得膜层对于海洋环境的适应性提升。

主权项：1.一种耐压型蓝宝石窗口三波段增透膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.蓝宝石基片的镀膜前准备；S2.蓝宝石基片的离子刻蚀清洗；S3.离子束溅射交替镀制二氧化硅和氧化钽：开启双离子源，主离子源用于溅射靶材，束压1150V~1250V，束流850A~950A，加速电压350V~450V，次离子源用于辅助沉积，束压240V~260V，束流180A~220A，加速电压480V~520V，靶材氧气流量：二氧化硅沉积时28sccm~32sccm，氧化钽沉积时38sccm~42sccm；S4.镀膜结束后，进行热处理；S5.离子刻蚀后镀制憎水层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所);湖北久之洋红外系统股份有限公司 一种耐压型蓝宝石窗口三波段增透膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD