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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种增强型GaNHEMT器件I‑V模型建立及参数提取方法，属于功率器件领域。首先实验测得不同辐照剂量下增强型GaNHEMT器件的转移特性与输出特性曲线；随后基于ASM‑HEMT模型，建立考虑总剂量效应的增强型GaNHEMT器件I‑V模型，整理并分类模型参数；接着通过深能级瞬态谱测试和手动拟合实验曲线初步确定待提取参数取值区间；最后全局拟合寻找待提取参数最优值并导出拟合结果。本发明建立的增强型GaNHEMT器件I‑V模型可准确预测总剂量效应作用下增强型GaNHEMT器件的电学特性变化，基于本发明提出的模型参数提取方法导出的参数可用于GaN基集成电路仿真文件的编写，从而预测总剂量效应对GaN基集成电路性能的作用结果，为后续的抗总剂量辐照设计提供技术支撑。
主权项：1.一种增强型GaNHEMT器件I-V模型建立及参数提取方法，其特征在于，包括：步骤1：实验测得增强型GaNHEMT在不同辐照剂量下的转移特性曲线与输出特性曲线；步骤2：基于ASM-HEMT模型建立考虑总剂量效应的增强型GaNHEMT器件I-V模型，整理模型参数，并分类为：结构参数与待提取参数；步骤3：开发相应的参数提取软件；步骤4：筛选步骤1获取的实验数据，并导入参数提取软件；步骤5：在参数提取软件中输入增强型GaNHEMT的结构参数，设定拟合精度与拟合迭代次数；步骤6：初步确定待提取参数的取值区间；步骤7：全局拟合实时对比模型预测曲线与实验测试曲线寻找待提取参数最优值；步骤8.拟合完成，观察并导出拟合结果，具体为：拟合数据与拟合参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种增强型GaN HEMT器件I-V模型建立及参数提取方法
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