申请/专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶盛光子科技有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721439A

主分类号：C23C16/24

分类号：C23C16/24;C23C16/515;C23C16/52;C23C16/02;C23C16/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250‑420℃；所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题，缩短了耗时及制程，降低了能耗，提升了转换效率，有利于大规模推广应用。

主权项：1.一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P-poly硅的方法，其特征在于，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250-420℃；所述PECVD沉积的压力为1000-3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和或Ar。

全文数据：

权利要求：

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