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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种基于半导体材料的粒子像素探测器，包括：多个像素结构；像素结构包括由下至上依次层叠的第一金属电极、衬底、过渡区、漂移区、掺杂有源区和第二金属电极，嵌入漂移区且与漂移区上表面齐平的注入区和第一掺杂区；第一掺杂区的掺杂类型与注入区的掺杂类型相反，且第一掺杂区的掺杂浓度大于注入区掺杂浓度，以截止由像素结构两端的工作电压引起的高电场。本申请像素结构中设有第一掺杂区，可以将由像素结构两端的工作电压引起的高电场截止掉，进而抑制相邻像素结构之间的信号串扰，提升探测效率。由于可以截断由像素结构两端的工作电压引起的高电场，所以可以缩短注入区的长度，进而提升像素结构中有源区的占空比。
主权项：1.一种基于半导体材料的粒子像素探测器，其特征在于，包括：多个像素结构；所述像素结构包括由下至上依次层叠的第一金属电极、衬底、过渡区、漂移区、掺杂有源区和第二金属电极，嵌入所述漂移区且与所述漂移区上表面齐平的注入区和第一掺杂区；所述第一掺杂区的掺杂类型与所述注入区的掺杂类型相反，且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述注入区掺杂浓度，以截止由像素结构两端的工作电压引起的高电场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于半导体材料的粒子像素探测器
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