申请/专利权人：薛富盛

申请日：2019-12-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112310136B

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/38

优先权：["20190723 TW 108126000"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：一种亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置，包括微发光二极管阵列及外部线路组件。微发光二极管阵列包括基板、数沿Y方向间隔布满基板的微发光阵列及阵列用绝缘层。各微发光阵列依序具一沿X方向延伸于基板的第一层、数间隔的发光层、第二层、第一内电极层，更具一延伸于第一层并具间隔围绕发光层的基部及自基部凸伸的凸部的第二内电极层。阵列用绝缘层覆盖基板并裸露第一、二内电极层。外部线路组件包括面向基板的载板、各沿Y、X方向间隔并沿X、Y方向延伸于载板的第一、二外部线路、裸露出第一、二外部线路的线路用绝缘层及键合于第一、二外部线路与第一、二内电极层的电性键合单元，借由载板上的外部线路组件能有效利用阵列设置面面积。

主权项：1.一种亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置，其特征在于：包含：微发光二极管阵列，包括：基板，具有阵列设置面，多个微发光阵列，沿第一方向彼此间隔地布满该阵列设置面，各微发光阵列具有沿横向于该第一方向的第二方向延伸以形成于该阵列设置面上的第一层、多个沿该第二方向彼此间隔地形成于其第一层上的发光层、多个分别形成于各自所对应的发光层上的第二层、多个分别设置于各自所对应的第二层上的第一内电极层，及沿该第二方向延伸地设置于该第一层上的第二内电极层，各微发光阵列的第二内电极层具有间隔地围绕各自所对应的发光层的基部，及自其基部背向该阵列设置面凸伸而出的凸部，且各微发光阵列的第二内电极层的凸部自其基部的端缘处背向该阵列设置面凸伸至等高于所述第一内电极层，及阵列用绝缘层，覆盖该阵列设置面与所述微发光阵列以裸露出各微发光阵列的第二内电极层的凸部与各第一内电极层；及外部线路组件，包括：载板，间隔地面向该微发光二极管阵列的阵列设置面设置，并具有一线路设置面，多个第一外部线路，沿该第一方向彼此间隔设置于该载板的线路设置面并沿该第二方向延伸，多个第二外部线路，沿该第二方向彼此间隔排列于该载板并沿该第一方向延伸，线路用绝缘层，覆盖该线路设置面以令所述第一外部线路与所述第二外部线路彼此电性隔绝，并裸露出所述第一外部线路及所述第二外部线路，及电性键合单元，设置于经裸露于该线路用绝缘层外的所述第一外部线路及所述第二外部线路上，以电性键合于各微发光阵列的第二内电极层的凸部与各第一内电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 薛富盛 亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置

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