申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-10-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112034679B

主分类号：G03F1/84

分类号：G03F1/84;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2020.12.04#公开

摘要：本发明提供了一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法。上述光掩膜版包括中心曝光区域和外围区域，上述曝光机台的曝光光线经过上述透镜后透过上述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光，其中，整个上述中心曝光区域设置有遮光层，以阻止上述曝光光线透过；以及上述外围区域设置有若干透光条纹，上述曝光光线经过上述透镜后形成的杂散光透过上述若干透光条纹对上述光刻胶进行曝光。本发明还提供了利用上述的光掩膜版检测曝光机台透镜眩光程度的方法。根据本发明所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法能够随时对曝光机台的透镜进行检测，从而提高透镜维护的便捷性，能够及时发现并改善透镜的眩光问题。

主权项：1.一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法，其特征在于，所述方法包括：提供光掩膜版，所述光掩膜版包括未被光圈快门阻挡的中心曝光区域和被光圈快门阻挡的外围区域，所述曝光机台的曝光光线依次经过所述光圈快门、透镜后透过所述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光，其中：整个所述中心曝光区域设置有遮光层，以阻止所述曝光光线透过；以及所述外围区域设置有若干透光条纹，所述曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述若干透光条纹对所述光刻胶进行曝光；提供测试晶圆，所述测试晶圆表面涂布有光刻胶；采用所述光掩膜版对所述测试晶圆表面的光刻胶进行曝光，以仅使所述曝光机台的曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述光掩膜版到达所述光刻胶；对曝光后的光刻胶进行显影；以及检测显影后的光刻胶图形来判断所述透镜的眩光程度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法

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