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【发明公布】一种FeOOH量子点修饰的富氨基多孔超薄g-C3N4光芬顿净水材料制备方法与应用_中国科学院金属研究所_202311673979.4 

申请/专利权人:中国科学院金属研究所

申请日:2023-12-07

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117732496A

主分类号:B01J27/24

分类号:B01J27/24;B01J35/39;B01J35/59;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明公开了一种FeOOH量子点修饰的富氨基多孔超薄石墨相氮化碳g‑C3N4纳米片高效光芬顿净水材料的制备方法与应用,属于功能纳米材料制备、太阳能利用与环境保护技术领域。该材料的制备方法为:以商用的富氮前驱体氰胺、二腈二胺或三聚氰胺和高分子结构导向剂CTAB、P123和聚乙二醇为原料,均匀混合后在空气中直接煅烧接着进行化学刻蚀处理,制备出氨基功能化修饰的多孔超薄g‑C3N4材料AHUCN。然后利用共沉淀法在AHUCN材料表面负载FeOOH量子点,从而得到FeOOH@AHUCN光催化材料。本发明方法简单易行、成本低廉,所制备的材料可应用于太阳光下去除水中抗生素污染物的光芬顿净化,具有重要的应用前景。

主权项:1.一种FeOOH量子点修饰的富氨基多孔超薄g-C3N4高效光芬顿净水材料的制备方法,其特征在于:利用导向剂辅助富氮前驱体直接热聚合制备多孔超薄氮化碳HUCN材料,在通过化学刻蚀处理得到氨基功能化修饰的多孔超薄g-C3N4材料,然后在其表面原位负载FeOOH量子点。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院金属研究所 一种FeOOH量子点修饰的富氨基多孔超薄g-C3N4光芬顿净水材料制备方法与应用

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