申请/专利权人：EXO成像公司

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751088A

主分类号：B81B3/00

分类号：B81B3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：公开了一种多绝缘体上硅SOI微机械超声换能器MUT装置。该装置包括多SOI基底和MUT。MUT附着于多SOI基底的表面。该多SOI基底具有第一SOI层以及设置在第一SOI层上方的至少第二SOI层。第一SOI层和第二SOI层各自包括绝缘层和半导体层。第一SOI层进一步限定位于MUT的膜下方的腔以及至少部分地围绕腔的周边的一个或多个沟槽。

主权项：1.一种多绝缘体上硅SOI微机械超声换能器MUT装置，包括：多SOI基底；以及具有膜的MUT；所述MUT附着于所述多SOI基底的表面；所述多SOI基底包括第一SOI层和设置在所述第一SOI层上方的至少第二SOI层，所述第一SOI层和所述第二SOI层各自包括绝缘层和半导体层，所述第一SOI层还包括：位于所述MUT的膜下方的腔；以及至少部分地围绕所述腔的周边的一个或多个沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： EXO成像公司 具有绝缘层的微机械超声换能器及制造方法

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