申请/专利权人：苏州希卓科技有限公司

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741860A

主分类号：G02B6/122

分类号：G02B6/122;G02B6/13;G02B6/132

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了选择性外延硅基脊型光波导及制作方法，该脊型光波导包括：SOI衬底，包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；硅平板层，由所述SOI衬底的顶层硅制成，作为脊型光波导的平板部分；选择性外延硅，在所述硅平板层上表面中心部分选择性外延生长硅层形成，作为脊型光波导的凸起部分；以及，第二氧化硅层，完全包裹所述脊型光波导的平板部分和凸起部分。相比常规的经过干法刻蚀具有粗糙侧壁表面的脊型光波导，本发明能显著减少光波传播的散射损耗；同时，脊型光波导的平板部分硅层厚度，为顶层硅的原始厚度并未经过刻蚀，比常规脊型光波导经过刻蚀的顶层硅厚度更精准、更均匀，光模场更符合设计，光更少泄漏到波导以外发生损耗。

主权项：1.选择性外延硅基脊型光波导，其特征在于，包括：SOI衬底，包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；硅平板层，由所述SOI衬底的顶层硅制成，作为脊型光波导的平板部分；选择性外延硅，在所述硅平板层上表面中心部分选择性外延生长硅层形成，作为脊型光波导的凸起部分；以及，第二氧化硅层，完全包裹所述脊型光波导的平板部分和凸起部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州希卓科技有限公司 选择性外延硅基脊型光波导及制作方法

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