申请/专利权人：同济大学

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117736653A

主分类号：C09G1/02

分类号：C09G1/02;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种用于单晶硅化学机械抛光的抛光液及化学机械抛光方法，该抛光液包括硅溶胶、表面附着剂、以及去离子水，该化学机械抛光方法包括以下步骤：向抛光模表面滴加所述的抛光液，承载头将硅片压至抛光垫上并带动硅片旋转，对硅片表面进行化学机械抛光，直至得到超光滑表面的硅片。与现有技术相比，本发明从抑制化学反应的角度入手，结合在化学刻蚀中常用以优化表面质量的异丙醇，在硅溶胶抛光液中加入异丙醇，作为表面附着层保护硅反应位点，使得形貌高低区域的材料去除速率产生差异，降低形貌起伏，从而提高表面质量。

主权项：1.一种用于单晶硅化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括质量分数为5-20％的硅溶胶、5-30％的表面附着剂、余量为去离子水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 同济大学 一种用于单晶硅化学机械抛光的抛光液及化学机械抛光方法

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