申请/专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117736103A

主分类号：C07C213/08

分类号：C07C213/08;H01L21/02;C03C17/245;C23C16/40;C23C16/455;C07C215/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种亚锡配合物的合成方法，属于有机合成技术领域，包括如下步骤：步骤S1、在惰性气体氛围下，将SnCl2、溶剂及氨基醇混合，得到反应体系A；所述氨基醇结构式为R1R2NCH2CR3R4OH；步骤S2、向反应体系A中加入碱，加完后，回流搅拌反应得到反应体系B；步骤S3、将反应体系B进行过滤分离、蒸馏提纯，得到亚锡配合物。该合成方法操作简单，产率高，适用于放大生产。该亚锡配合物可用于制备半导体薄膜材料。

主权项：1.一种亚锡配合物的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、在惰性气体氛围下，将SnCl2、溶剂及氨基醇混合，得到反应体系A；所述氨基醇结构式为R1R2NCH2CR3R4OH；步骤S2、向反应体系A中加入碱，加完后，回流搅拌反应得到反应体系B；步骤S3、将反应体系B进行过滤分离、蒸馏提纯，得到亚锡配合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种亚锡配合物的合成方法及其用途

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