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申请/专利权人：财团法人工业技术研究院
摘要：本发明提供一种铁电记忆体，包括：一第一电极层，其主要结晶方向包括110或220；一第二电极层，与该第一电极层对向设置，其中该第二电极层的主要结晶方向包括110或220；以及一铁电层，设置于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该铁电层的主要结晶方向包括111。
主权项：1.一种铁电记忆体，其特征在于，包括：一第一电极层，其主要结晶方向包括110或220；一第二电极层，与该第一电极层对向设置，其中该第二电极层的主要结晶方向包括110或220；以及一铁电层，设置于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该铁电层的主要结晶方向包括111；其中，该铁电层包括锆于氧化锆铪中的比例介于40-60％的氧化锆铪、氧化铪、硅于氧化硅铪中的比例介于3-6％的氧化硅铪、铝于氧化铝铪中的比例介于2-10％的氧化铝铪、钆于氧化钆铪中的比例介于2-50％的氧化钆铪、钇于氧化钇铪中的比例介于2-20％的氧化钇铪、锶于氧化锶铪中的比例介于2-40％的氧化锶铪、或锆于氧化镧锆铪中的比例介于40-60％且镧于氧化镧锆铪中的比例介于0.1-2％的氧化镧锆铪。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 财团法人工业技术研究院 铁电记忆体
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