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申请/专利权人：福州镓谷半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，涉及到半导体加工技术领域，包括底座，所述底座的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽，所述底座的顶面于若干放置槽开口处环面均设置有环板，所述底座顶面留设有空白区域；本实用新型在实际使用过程中，通过在底座顶面设置多个环板，使形成空白区域，因此使本石墨盘的顶面高度不同，在使用时，放置槽开口处的环板可以改善流场，阻挡反应中活跃的镓从空白区域流动到放置槽，从而达到改善功率器件二维电子气中Al组分的均匀性，以获得高质量的外延片。
主权项：1.一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于，包括底座1，所述底座1的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽11；所述底座1的顶面于若干放置槽11开口处环面均设置有环板3，所述底座1顶面留设有空白区域4。
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权利要求：
百度查询： 福州镓谷半导体有限公司 一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘
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