申请/专利权人：北京信息科技大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766632A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。本发明通过对台面侧壁旋涂光刻胶来避免去除残余硬掩膜时干法刻蚀对台面侧壁刻蚀的损伤，保护台面侧壁免受刻蚀影响，从而降低由刻蚀损伤形成的表面漏电流，最大限度降低表面漏电流，提升阻抗性能。

主权项：1.一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁胶保护刻蚀方法包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀所述红外材料，使所述红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在所述台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除所述台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除所述台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信息科技大学 一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法

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