申请/专利权人：上海大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117756152A

主分类号：C01F7/023

分类号：C01F7/023;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K3/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：单分散尖锐粒度分布的高纯纳米α‑氧化铝的制备方法，属于集成电路抛光领域。本发明采用高纯微米α‑氧化铝作原料，通过高纯微米α‑氧化铝浆料的制备、湿法研磨、离心去除大颗粒、盐酸酸化处理和离心分离等步骤，制备出单分散、尖锐粒度分布、粒径在75～85nm的高纯α‑氧化铝粉末。本发明所提供的方法简单易行，高效环保，所得纳米α‑氧化铝具有出色的纯度和分散性，特别适用于集成电路抛光等领域的应用。这种单分散、尖锐粒度分布、粒径在80nm左右的高纯纳米α‑氧化铝粉末具有广阔的应用前景，为国内工业需求提供了有力支持。

主权项：1.一种单分散尖锐粒度分布的高纯纳米α-氧化铝的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.向烧杯中加入去离子水和分散剂，在持续搅拌条件下，再加入微米级α-氧化铝，继续搅拌，制得微米α-氧化铝浆料；步骤2.向搅拌介质研磨机的研磨罐中加入研磨介质，将微米α-氧化铝浆料加入研磨罐中开始研磨；研磨过程中，研磨罐通循环冷凝水，制得平均粒径在100-300nm之间的微纳米α-氧化铝分散液；步骤3.对微纳米α-氧化铝分散液进行离心分离，去除下层粒径大于100nm的α-氧化铝浆料，获得上层纳米α-氧化铝分散液；步骤4.再将盐酸溶液加入至上层纳米α-氧化铝分散液中，经酸化、静置后离心分离，去除上清液，获得下层沉淀物；步骤5.采用无水乙醇对下层沉淀物洗涤，直至中性，然后对洗涤后的沉淀物干燥处理，获得单分散、尖锐粒度分布、平均粒径在75nm～85nm之间的高纯纳米α-氧化铝粉末。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海大学 单分散尖锐粒度分布的高纯纳米α-氧化铝的制备方法

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