申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766635A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及IBC电池结构的成型工艺，包括步骤：制绒、硼扩散；单面HF处理、抛光；沉积遂穿层、原位掺杂非晶硅层；激光开膜、制绒处理；激光转印硼浆、高温处理；清洗；沉积正背面钝化膜；印刷电极并烧结。本发明一方面可以减少少数载流子横向传输的复合损失，提高空穴被背面发射极收集能力，同时允许背场区域更宽的设计，受硅片电阻率影响小，背面结构还可以降低背场区表面和金属的复合，且背面发射极区制绒形貌，界面接触电阻可以进一步降低；另一方面采用激光转印沉积硼浆栅线来制备背面发射极，不接触硅片背表面，可以减少丝网印刷这类接触式沉积方法对背面的损伤、破坏，同时避免多次掩膜和开膜过程、且无需针对隔离区进行单独制备。

主权项：1.一种IBC电池结构的成型工艺，其特征在于，其包括如下步骤：1对硅片的正面和背面依次进行制绒和硼扩散处理，在硅片正面的绒面上形成正面硼掺杂层和正面硼硅玻璃层，在硅片背面的绒面上形成背面硼掺杂层和背面硼硅玻璃层；2去除背面的背面硼掺杂层和背面硼硅玻璃层，并进行抛光形成抛光平面；3依次在抛光平面上沉积背面隧穿氧化硅层、背面原位掺杂磷非晶硅层和背面掩膜层；4对背面局部掩膜进行激光开膜，去除开膜区域的背面掩膜层，露出背面原位掺杂磷非晶硅层，接着在开膜区域进行制绒处理，开膜区域的背面原位掺杂非晶硅层和背面隧穿氧化硅层被去除，硅片表面由于腐蚀各向异性形成金字塔结构形貌，同时未开膜区域形成背场区；5使用激光转印方式在金字塔结构形貌上沉积硼浆，并进行退火处理，以使得开膜区域局部金字塔结构形貌上形成硼掺杂发射极和硼浆层，剩余金字塔结构形貌上形成氧化硅层，背面原位掺杂磷非晶硅层形成磷掺杂多晶硅层；6清洗以去除正面硼硅玻璃层、硼浆层、背面掩膜层、及氧化硅层；7分别在正面和背面依次沉积氧化层和氮化层，以形成正面氧化层和正面氮化层、及背面氧化层和背面氮化层；8分别在背面发射极对应的区域形成背面发射极区电极、在背场区所对应的背面氮化层上形成背场区电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏林洋太阳能有限公司 一种IBC电池结构的成型工艺

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