申请/专利权人：新磊半导体科技(苏州)股份有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766615A

主分类号：H01L31/105

分类号：H01L31/105;H01L31/18;H01L31/0304;C30B25/18;C30B29/40;C30B25/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种InAsSb红外探测器结构的外延方法，涉及半导体材料技术领域。该方法包括：GaSb衬底脱膜，自下而上依次外延未掺杂的GaSb缓冲层，n型InAs1‑xSbx接触层，本征InAs0.91Sb0.09吸收层，p型AlAsSb数字合金保护层，p型AlAsSb数字合金势垒层，p型InAs1‑ySby或GaSb接触层。用数字合金的方式将AlAsSb层的As和Sb的束流比转化为AlSb和AlAs的厚度比；使用C掺杂代替Be掺杂，提高生长温度，提高AlAsSb层的质量；p型AlAsSb数字合金保护层可以防止InAs0.91Sb0.09吸收层中In的偏析，提高材料质量。

主权项：1.一种InAsSb红外探测器结构的外延方法，其特征在于，所述结构自下而上依次包括：n型GaSb衬底，GaSb缓冲层，n型InAs1-xSbx接触层，本征InAs0.91Sb0.09吸收层，p型AlAsSb数字合金保护层，p型AlAsSb数字合金势垒层，p型InAs1-ySby或GaSb接触层，所述方法包括：在所述n型GaSb衬底进行脱膜处理得到脱膜完毕的n型GaSb衬底；在所述脱膜完毕的n型GaSb衬底上外延未掺杂的GaSb缓冲层；在所述GaSb缓冲层上外延Si掺杂的n型InAs1-xSbx接触层；在所述n型InAs1-xSbx接触层上外延本征InAs0.91Sb0.09吸收层；在所述本征InAs0.91Sb0.09吸收层上外延C掺杂的p型AlAsSb数字合金保护层；在所述p型AlAsSb数字合金保护层上外延C掺杂的p型AlAsSb数字合金势垒层；在所述p型AlAsSb数字合金势垒层上外延C掺杂的p型InAs1-ySby或GaSb接触层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种InAsSb红外探测器结构的外延方法

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