龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2023-12-25
公开（公告）日：2024-03-26
公开（公告）号：CN117766298A
主分类号：H01G4/33
分类号：H01G4/33;H01G13/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开
摘要：本发明公开了一种耐高温柔性薄膜电容器及其制备方法，本发明制备的多层薄膜电容器高温稳定性好，在25‑200℃的温度范围内，电流密度和功率密度的变化率仅为±5.4％；该电容器具备快速充放电能力t0.9＝0.0554μs，高储能密度Wd＝0.51Jcm3，高电流密度CD＝72.19Acm2，高功率密度PD＝43.31MWcm3。此外，电容值高，相对于PI薄膜电容器，PI复合物薄膜电容器的电容为16.33nF，提升了26.4％。这种PI耐高温薄膜电容器有望提高电子设备在极端高温环境下的性能和可靠性，进一步推动高温电子技术的发展。
主权项：1.本发明提供一种耐高温柔性薄膜电容器，所采用的薄膜材料为PICSO耐高温复合电子薄膜，所述柔性薄膜电容器具备快速充放电能力t0.9＝0.0554μs，高储能密度Wd＝0.51Jcm3，高电流密度CD＝72.19Acm2和高功率密度PD＝43.31MWcm3。此外，高温稳定性好，在25-200℃的温度范围内，电流密度和功率密度的变化率仅为±5.4％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种耐高温柔性薄膜电容器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号