申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117778849A

主分类号：C22C29/00

分类号：C22C29/00;C22C1/05;B22F3/14;B22F7/08;C23C14/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明属于溅射靶材技术领域，公开了一种高密度导电ZnS掺杂靶材及其制备方法。所述高密度导电ZnS掺杂靶材由质量百分含量为0.1％～10％的Cu，0.01％～0.3％的Ag和余量的ZnS组成。其制备方法为：将ZnS粉、真空包装的Cu粉和Ag粉在惰性气氛保护下加入到双运动混合机中均质混合均匀，装入模具中冷压至5～10MPa，然后在真空条件下升温至850～950℃保温处理，再加压至30～50MPa保温保压处理，保温保压时间结束后，随炉冷却至室温，脱模，将所得靶坯进行铣面处理，然后与背板绑定，得到靶材。本发明所得靶材的组分均匀、导电性良好、无缺陷，符合溅射靶要求。

主权项：1.一种高密度导电ZnS掺杂靶材，其特征在于，由质量百分含量为0.1％～10％的Cu，0.01％～0.3％的Ag和余量ZnS组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种高密度导电ZnS掺杂靶材及其制备方法

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